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Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
33
Intorno 9% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
33
Velocità di lettura, GB/s
12.5
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1917
2876
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B5273DH0-YH0 8GB
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