RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
39
Intorno 23% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.5
7.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.8
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
39
Velocità di lettura, GB/s
12.5
7.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1917
1768
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 16JTF51264AZ-1G4D1 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA41GU7AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FD2 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link