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Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Confronto
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Motivi da considerare
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
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Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
84
Intorno -265% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.5
5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
3.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
84
23
Velocità di lettura, GB/s
5.0
17.5
Velocità di scrittura, GB/s
3.6
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
878
3171
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5469-053.A00LF 4GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
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