RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
33
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.8
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
33
Velocità di lettura, GB/s
11.9
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3341
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link