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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
31
Intorno 13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.5
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
27
31
Velocità di lettura, GB/s
11.9
9.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
10600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
1304
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
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