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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Confronto
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Punteggio complessivo
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
11.9
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1620
3343
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
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