RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
34
Около 21% меньшая задержка
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.3
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.4
8.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
20.3
Скорость записи, Гб/сек
8.5
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1620
3343
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link