RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Confronto
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB vs Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
21300
Intorno 1.2% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
57
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
15.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.9
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
33
Velocità di lettura, GB/s
15.1
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
21300
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2276
2824
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.M16FB 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link