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Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
27
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
11.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
18
Velocità di lettura, GB/s
11.5
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
8.5
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1756
3668
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Confronto tra le RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
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Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Lenovo 16GB
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