RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3668
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
AMD R5316G1609U2K 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link