RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Porównaj
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
18
27
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
11.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
18
Prędkość odczytu, GB/s
11.5
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1756
3668
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 9DPT1CO4E-TATP 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD3-2400 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link