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Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Confronto
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB vs Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
44
Intorno 41% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.3
8.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
26
44
Velocità di lettura, GB/s
14.0
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.3
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2290
2069
Kingston ACR512X64D3S16C11G 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
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