RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Confronto
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
51
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
11.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
25
Velocità di lettura, GB/s
11.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1540
2542
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M393A2K40BB2-CTD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link