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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Compara
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Puntuación global
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
51
En -104% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.8
11.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.9
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
25
Velocidad de lectura, GB/s
11.6
14.8
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1540
2542
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
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