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Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Confronto
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.1
7.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
51
Intorno -82% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
11.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
51
28
Velocità di lettura, GB/s
11.6
11.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1540
1920
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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