RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1540
1920
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link