RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Porównaj
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wynik ogólny
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR3
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
11.6
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
8.1
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
12800
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1540
1920
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325S6EFR8A-PB 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C-PB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2800C16 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FD 16GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXW 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link