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Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Confronto
Kingston HX316C10F/8 8GB vs Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston HX316C10F/8 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX316C10F/8 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
42
Intorno 14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.2
8.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
36
42
Velocità di lettura, GB/s
14.7
13.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
8.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2585
2150
Kingston HX316C10F/8 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BA1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
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Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
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