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Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Confronto
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Punteggio complessivo
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
69
Intorno -123% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
4.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
31
Velocità di lettura, GB/s
6.1
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1116
3755
Kingston HX318C10FK/4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
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