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Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Confronto
Kingston HX318C10FK/4 4GB vs G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Differenze
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston HX318C10FK/4 4GB
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Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
69
Intorno -306% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.0
4.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
69
17
Velocità di lettura, GB/s
6.1
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
4.1
16.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1116
3550
Kingston HX318C10FK/4 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
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