RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
29
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
29
Velocità di lettura, GB/s
13.4
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3140
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905701-098.A00G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905663-016.A00G 16GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link