RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
28
Intorno -8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
26
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2855
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link