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Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
13.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2091
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
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