RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
28
Intorno -56% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
18
Velocità di lettura, GB/s
13.4
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
17.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
3668
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link