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Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
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Motivi da considerare
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
14
28
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
26.4
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
19.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
14
Velocità di lettura, GB/s
13.4
26.4
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
19.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
4362
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
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