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Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
35
Intorno 20% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.1
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.6
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
35
Velocità di lettura, GB/s
13.4
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2502
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905734-062.A00G 32GB
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