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Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Confronto
Kingston K531R8-MIN 4GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K531R8-MIN 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston K531R8-MIN 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
36
Intorno 22% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.9
13.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston K531R8-MIN 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
36
Velocità di lettura, GB/s
13.4
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2445
2589
Kingston K531R8-MIN 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Shenzhen Yong Sheng Technology YXS1866C10D3/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
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