RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
38
Intorno -15% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
9.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
10600
Intorno 2.42 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
33
Velocità di lettura, GB/s
14.7
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
25600
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2496
2910
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Corsair CMV4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link