RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Confronto
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Kingston K821PJ-MID 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Kingston K821PJ-MID 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
41
Intorno 22% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
12.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston K821PJ-MID 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston K821PJ-MID 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
32
41
Velocità di lettura, GB/s
16.2
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3084
2338
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston K821PJ-MID 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU42J9266NL 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link