RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Confronto
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB vs Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
81
Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
8.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
32
81
Velocità di lettura, GB/s
16.2
8.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3084
1651
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR2 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link