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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
6.8
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.4
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
1989
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
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