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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Compara
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Puntuación global
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
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Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
60
En -114% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
6.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.1
5.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
14900
En 1.14 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
60
28
Velocidad de lectura, GB/s
6.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
5.4
9.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
14900
17000
Other
Descripción
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
1989
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
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