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Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Confronto
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
34
Intorno 24% latenza inferiore
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
13.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
34
Velocità di lettura, GB/s
13.9
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2432
2468
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Confronto tra le RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMH32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
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