RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Confronto
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
56
Intorno -124% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
2,475.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8800
Intorno 2.18 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
25
Velocità di lettura, GB/s
4,878.3
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,475.5
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
8800
19200
Other
Descrizione
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
598
2427
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Confronto tra le RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9965684-005.A00G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link