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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Comparez
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Note globale
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
14.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
56
Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
2,475.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
8800
Autour de 2.18 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
56
25
Vitesse de lecture, GB/s
4,878.3
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
2,475.5
9.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
8800
19200
Other
Description
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
598
2427
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaison des RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparaison des RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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Absolute Latency
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