Comparaison de la RAM Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Note globale

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

25 56

Autour de -124% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

9.9 2,475.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 8800

Autour de 2.18 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

598 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns