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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
総合得点
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
4
14.6
テスト平均値
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
25
56
周辺 -124% 低遅延
書き込み速度の高速化、GB/s
9.9
2,475.5
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
8800
周辺 2.18 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
56
25
読み出し速度、GB/s
4,878.3
14.6
書き込み速度、GB/秒
2,475.5
9.9
メモリ帯域幅、mbps
8800
19200
Other
商品説明
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
タイミング / クロック速度
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
598
2427
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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