RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
56
Около -124% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.9
2,475.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8800
Около 2.18 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
56
25
Скорость чтения, Гб/сек
4,878.3
14.6
Скорость записи, Гб/сек
2,475.5
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8800
19200
Other
Описание
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
598
2427
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Сравнения RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link