Porównanie pamięci RAM Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Wynik ogólny

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

25 56

Wokół strony -124% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.9 2,475.5

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 8800

Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

598 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns