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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Pontuação geral
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
25
56
Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.9
2,475.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
8800
Por volta de 2.18 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
25
Velocidade de leitura, GB/s
4,878.3
14.6
Velocidade de escrita, GB/s
2,475.5
9.9
Largura de banda de memória, mbps
8800
19200
Other
Descrição
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
598
2427
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparações de RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB Comparações de RAM
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2666C15D4/4G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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