Comparação RAM Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Pontuação geral

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

25 56

Por volta de -124% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

9.9 2,475.5

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

19200 8800

Por volta de 2.18 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO102408-2400 8GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

598 2427

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns