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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
75
Intorno -142% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.2
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
31
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
15.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
3755
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
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