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Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
比较
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
总分
Kingston KVR533D2N4 512MB
总分
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston KVR533D2N4 512MB
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需要考虑的原因
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
31
75
左右 -142% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
17.9
1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.2
1,672.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
4200
左右 4.05 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
75
31
读取速度,GB/s
1,943.5
17.9
写入速度,GB/s
1,672.1
15.2
内存带宽,mbps
4200
17000
Other
描述
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
301
3755
Kingston KVR533D2N4 512MB RAM的比较
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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