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Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
75
Intorno -159% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.2
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
4200
Intorno 5.07 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
29
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
21300
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2984
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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