RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
75
Intorno -60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
10
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.5
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
4200
Intorno 4.57 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
47
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
10.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
7.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
19200
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2308
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMV16GX4M1L2400C16 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3000C16 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link