RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston KVR533D2N4 512MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Confronto
Kingston KVR533D2N4 512MB vs Super Talent F21UB8GS 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR533D2N4 512MB
Punteggio complessivo
Super Talent F21UB8GS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR533D2N4 512MB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Super Talent F21UB8GS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
75
Intorno -241% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.2
1,672.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR533D2N4 512MB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
22
Velocità di lettura, GB/s
1,943.5
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,672.1
7.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
301
2200
Kingston KVR533D2N4 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FE 4GB
Super Talent F21UB8GS 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3000C15 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6J1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link