RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Confronto
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
43
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
13
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
41
43
Velocità di lettura, GB/s
14.1
13.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2240
1994
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Avant Technology W641GU48J5213ND 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link