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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Confronto
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
49
Intorno -48% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
33
Velocità di lettura, GB/s
10.2
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2465
2910
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
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A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
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