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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

総合得点
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Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

総合得点
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB 考慮すべき理由
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB 考慮すべき理由
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    33 left arrow 49
    周辺 -48% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    17.6 left arrow 10.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    12.0 left arrow 8.1
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    25600 left arrow 12800
    周辺 2 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    49 left arrow 33
  • 読み出し速度、GB/s
    10.2 left arrow 17.6
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.1 left arrow 12.0
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2465 left arrow 2910

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Kingston KP223C-ELD 2GB
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Kingston 9965640-008.A01G 32GB
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SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
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Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
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Kingston 9965596-029.B00G 4GB
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メモリRAM
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
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Kingston 9905678-043.A00G 8GB
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メモリRAM
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
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メモリRAM
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston KMKYF9-MID 8GB
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Kingston 9905622-058.A00G 8GB
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