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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB vs Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

総合得点
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Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB

総合得点
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Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
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  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    41 left arrow 43
    周辺 5% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    14.1 left arrow 13
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.2 left arrow 7.6
    テスト平均値
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB 考慮すべき理由
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
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仕様

技術仕様の完全リスト
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M378B5173BH0-CK0 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    41 left arrow 43
  • 読み出し速度、GB/s
    14.1 left arrow 13.0
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.2 left arrow 7.6
  • メモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2240 left arrow 1994

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Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
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Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
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メモリRAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
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Samsung M4 70T5663QH3-CF7 2GB
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メモリRAM
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
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Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
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メモリRAM
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
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G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
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メモリRAM
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
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メモリRAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
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Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
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メモリRAM
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Avant Technology W642GU42J5213N2 16GB
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メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
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A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
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Kingston 99U5663-003.A00G 16GB
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