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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2960
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
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