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Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Confronto
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB vs Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Punteggio complessivo
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
15.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
50
Intorno -108% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.1
1,905.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
24
Velocità di lettura, GB/s
5,143.3
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
1,905.1
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
855
2631
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
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