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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
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Motivi da considerare
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
62
Intorno -148% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
7.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
62
25
Velocità di lettura, GB/s
7.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
12.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1612
2781
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Confronto tra le RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
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