RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
62
Wokół strony -148% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.9
7.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.1
5.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
62
25
Prędkość odczytu, GB/s
7.4
15.9
Prędkość zapisu, GB/s
5.9
12.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1612
2781
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRG 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT16G4SFDFD4A.M16FH 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-34A170X 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link